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给你个电路，图参考下。
光电池不同，参数不同。电路中用的是LXD33CV ?龙信达的
*影响测试结果的几个因素：
1.光源性质，如：自然光、人造光源、白炽灯、日光灯、不同颜色光源光谱均不相同，其输出不同。
2.电源电压 Vdd不同，可能输出。
3.下拉电阻值精度不同，其输出不同。
4.可见光传感器接收光源角度不同，其输出不同。
光电池对光的要求有什么？
硅光电池是一种直接把光能转换成电能的半导体器件。它的结构很简单，核心部分是一个大面积的PN 结，把一只透明玻璃外壳的点接触型二极管与一块微安表接成闭合回路，当二极管的管芯(PN结)受到光照时，你就会看到微安表的表针发生偏转，显示出回路里有电流，这个现象称为光生伏特效应。硅光电池的PN结面积要比二极管的PN结大得多，所以受到光照时产生的电动势和电流也大得多。
光伏技术可直接将太阳的光能转换为电能，用此技术制作的光电池使用方便，光照时产生的电动势和电流也大得多。目前在数码摄像、光通信、航天器、太阳能电池等领域得到了广泛应用，在现代科技发展中起到了十分重要的作用。
1.2.1 光照特性
不同强度的光照射在光电池上，光电池有不同的短路电流Isc和开路电在Voc，短路电流Isc—光强Ev特性是一条直线，即短路电流在很宽的光强范围内，与光强成线性关系，而开路电压是非线性的，而且，在当光强较小，约20mW／cm2时，短路电压就趋于饱和。因此，要想用光电池来测量或控制光的强弱，应当用光电池的短路电流特性。
1.2.2 硅光电池的光谱特性：
不同的光电池，光谱曲线峰值的位置不同，例如硅光电池峰值波长在0.8μm左右，硒光电池在0.54μm左右。硅光电池的光谱范围宽，在0.45～1.1μm之间，硒光电池的光谱范围在0.34～0.75μm之间，只对可见光敏感。
值得注意的是，光电池的光谱曲线形状，复盖范围，不仅与光电池的材料有关，还与制造工艺有关，而且还随着环境温度的变化而变化。
1.2.3 光电池的温度特性
开路电压随温度的升高而快速下降，短流电流随温度升高而缓缓增加。所以，用光电池作传感器制作的测量仪器，即使采用Isc—Ev特性，在被测参量恒定不变时，仪器的读数也会随环境温度的变化而漂移，所以，仪器必须采用相应的温度补偿措施。
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